Dans un monde où les avions volent constamment plus loin et plus vite et où les particules peuvent être accélérées presque à la vitesse de la lumière, il n'est pas surprenant qu'un nouveau type de stockage de données se soit avéré plus rapide que tout ce qui existe sur le marché. Des scientifiques de l'UC San Diego ont réalisé une expérience qui a montré que la mémoire à changement de phase peut battre certaines des meilleures mémoires flash disponibles sur le marché. Ils utilisaient un prototype de module de changement de phase appelé Onyx fabriqué par Micron.
Bien sûr, ce n'était que lors de l'écriture de petits bits de données à la fois. Ce faisant, la mémoire a pu atteindre des vitesses de 70 à 120 % plus rapides que son homologue flash. Lors de l'écriture de gros morceaux de données, le lecteur était en fait plus lent que la mémoire flash. Néanmoins, la mémoire à changement de phase était plus rapide pour lire des données de n'importe quelle taille et plaçait une charge beaucoup plus faible sur le processeur lorsqu'elle était utilisée. La mémoire à changement de phase a également l'avantage supplémentaire de pouvoir écrire à la demande sans avoir à conserver des tables ou des journaux comme le fait la mémoire flash.
Outre l'augmentation des vitesses, la partie la plus fascinante de la mémoire à changement de phase est son fonctionnement. Ces puces fonctionnent en stockant des données dans un alliage métallique appelé chalcogénure. Afin d'écrire dans la mémoire, de petites rafales de chaleur commutent des sections du matériau entre son état cristallin ou un arrangement amorphe qui représentent soit un 0 soit un 1. Ces 0 et 1 sont ensuite traduits par le CPU en un fichier numérique.
Concrètement, cette augmentation des temps de lecture signifie que les disques RAID et les disques internes utilisant ce type de mémoire devraient aider les éditeurs à gagner du temps lors de l'édition et du rendu, en particulier à l'ère des fichiers vidéo HD de grande taille. En outre, il a été démontré que cette mémoire a une durée de vie moyenne de 100 millions de cycles d'écriture, contre 100 000 pour la mémoire flash NAND, ce qui signifie que ces disques peuvent être juste assez longs pour sembler plutôt lents.